機器人鋪光電板要比人利索多了。
因為穿宇航服的緣故，人類宇航員在鋪設過程中，在直播間看，無論是第一視角還是第三視角，你總會覺得這動作很變扭，有種身體不受控制的錯覺。
但機器人就要流暢得多，尤其是剛從地球運來的機器人，新東西用起來總是最爽的。
直播間的觀眾簡單來說就是爽，類似于看解壓視頻的感覺。
一個個光伏板跟種莊稼一樣，種下去。
“好爽，我們這進度太快了。”
“這次看，感覺進度飛快啊，華為什么時候能把超導芯片給搞出來？”
“應該快了吧？”
“應該快了，要不是為了超導芯片，應該用不著這么龐大的光伏陣列吧？”
直播間除了討論機器人裝光伏組件外，就在討論超導芯片什么時候能上。
這可是華國獨一份的技術突破。
哪怕這一技術突破還只是停留在構想藍圖上，但簡中互聯網的網友們早就贏麻了。
不但簡中網友贏麻，外國媒體也提前幫華國贏麻。
以印度為例，印度媒體是最愛反思的，尤其愛和華國比。
歐美的報紙可以把這件事視而不見，但印度不行。
從深紅出現開始，印度媒體就在反思了：
“我們在科研支出、科研人才密度、大學排名等方面都顯著落后于華國，華國擁有類似千人計劃、2025制造業這樣的國家戰略，我們缺乏這類長遠規劃，在人工智能領域，華國的投入同樣遠超印度，這是我們之間差距的原因。
印度政府有野心，印度有人工智能領域的人才，但我們國家的風險投資并不愿意支持真正的科技創新，他們只想做科技的搬運工，把阿美莉卡成熟的技術搬回印度。
這樣的創新是不可持續的，這也是我們和華國差距的根本所在。”
深紅出來的時候，印度的反思會給華國人一種熟悉感，因為華國之前反思和阿美莉卡差距的時候，說辭好像差不多。
但當超導芯片計劃公布之后，印度反思就開始脫離理性層面了，動不動就是印度人就是不行，印度就是不行這種情緒抒發上。
在quora上有一篇華裔的回答一語中的：
“印度一直認為他們能和華國比，應該要和華國看齊，孟買要和申海比，新德里要和燕京比，班加羅爾要和鵬城看齊，華國的科技進步格外讓他們所關注。
而這次印度圍繞超導芯片的集體破防，在印度輿論層面引發了比深紅出現更廣泛和激烈的討論，會導致不了解印度的人困惑，超導芯片只停留在理論層面，還沒有實物的出現，深紅可是實打實用更弱的算力實現了更好的效果，為什么前者還會更能引發印度破防。
對此，我周圍有非常多的印度朋友，我認為他們的思考邏輯是，我們和華國是一樣的，盡管現在華國比我們領先，但我們沒有本質區別，我們都是追趕者的身份。
深紅再厲害，它也是GPT的模仿者，哪怕它超過了GPT，它的出現和GPT相差沒有多久時間，也許是原創，但在印度人的視角里，你就是模仿，就是抄襲。
所以他們討論反思還只是停留在一個比較和平理性的層面，但超導芯片是完全沒有的產物，是華國首先提出的概念，并且有落地的可能。
這讓印度意識到，大家也許不一樣，華國也許不是追趕者，華國在科技領域也許正在朝創新者的角色轉型，甚至已經成為了創新者的角色。
往更深了聊，印度對自身的定位仍然是依靠歐美資本、歐美技術、歐美市場獲得發展的國家，他們覺得華國也是如此，所以大家是競爭關系，你多獲得了一些，印度就少獲得了一些。
但超導芯片的出現，讓印度意識到，好像我們也在接受來自華國的資本、產業和技術輸出，這讓他們破防了，因為在不知不覺間華國實現了身份地位的轉換，但印度還是印度。”
當然圍繞超導芯片，不但印度關注，發達國家同樣在關注。
這也許關系到下一代的芯片材料。
芯片領域的從業人員都能很直觀感受到硅基芯片已經到了一個極限，每往前一步都格外困難，成本上升、良品率下降、各種負面因子開始涌現。
如果不采用更加先進的3D立體結構，硅基芯片這幾年就要到頭了。
那么華國的低溫超導路線到底可不可行，這成為了業界關注的焦點。
月球上能夠保證常態低溫，能夠利用低溫來構建超導芯片，在地球上這一點自然是做不到，他們關注的是，低溫超導有沒有可能會表現出一些有意思的特性，而這些特性是否能指導下一代芯片材料的出現。
超導本身就令人遐想連篇，那么不需要超導，常溫常壓下的半超導有沒有可能呢？
新的環境，新的條件，有可能誕生新的材料。
所以業界格外關注華國超低溫超導芯片的最新進展。
當然在華為內部，那就更重視了，調兵遣將，派了最精銳的團隊從松山湖調到申海來。
他們第一年主要要做的是驗證技術可行性，技術路徑早已確定：利用鐵基超導體FeSe薄膜，在SrTiO3襯底上通過分子束外延生長，實現溫度在100K的超導狀態，這樣的樣品理論可行，但實際呢？
在月球上它的表現如何？不僅僅是計算本身，還有穩定性、耗能等等，其他狀態到底如何。
他們需要先拿個樣品出來。
以阿波羅科技的能力來說，他們前腳有了樣品，后腳就能打到月球上去做測試。
月球上的環境什么的都已經準備好了，電能已經具備，陰影區域探索完成，隨時可以進行測試。
屬于是萬事俱備只欠東風。
“吳工，你們那邊進度如何？”林燃同樣關注這件事，他大概每周會和技術團隊開一次會，技術團隊由華為和阿波羅科技共建，人員配比大概在7比3的樣子。
吳工是這只技術團隊的具體負責人，華為半導體條線僅次于梁孟松的資深工程師。
第一個月：“教授，我們從FeSe入手，母體FeSe是半導體，Tc只有8K，但單層薄膜在界面效應下，能提升到109K。
月球真空環境完美匹配MBE生長，避免氧化。”吳工說
團隊的研究員們戴著護目鏡，操作著設備：先將SrTiO3襯底加熱到600°C，清潔表面；然后控制鐵源和硒源的蒸發速率，鐵原子束強度為0.1單層/分鐘，硒過量以確保化學計量比。
生長過程中，吳工偶爾糾正參數：“注意襯底溫度，過高會導致晶格失配，降低電子聲子耦合，目標厚度是約0.5nm的單原子層。”
在第一個樣品生長完成后，他們用X射線衍射（XRD）檢查晶體結構：峰值顯示良好外延，但電阻測試在液氮浴（77K）中，超導轉變溫度Tc只有50K，遠低于預期。
第二個月：“我覺得應該是硒空位缺陷導致的費米面重構不完整，吳工，嘗試一下增加后退火步驟，在真空下加熱到400°C，促進界面電荷轉移。”林燃提醒道“我覺得界面效應會是關鍵，SrTiO3的極性層會誘導二維電子氣，提升Tc。”
這和2014年Nature的一篇文獻有關，在那篇文獻里有提到，FeSe/SrTiO3系統可以利用界面效應將Tc從8K推到100K以上。
團隊迭代三次，調整硒/鐵比從6:1到8:1，終于在第四個樣品上看到進步：XRD顯示銳利峰，表明完美晶格匹配。
第三個月，才開始初見曙光，使用高壓氧摻雜，FeSe薄膜的晶格扭曲，a軸參數從3.76增加到3.78，電子聲子耦合增強。
在模擬觀測中，顯示Tc能達105K。
林燃說：“我知道大家很高興，但這還不夠，我們需要繼續優化。
因為月球南極的輻射環境會干擾Cooper對，但低溫能抑制熱噪聲。
我們需要集成輻射屏蔽層，用硼摻雜金剛石作為緩沖，BDD的Tc雖只有11K，但其寬帶隙能阻擋宇宙射線。”
他們開始摻雜實驗：在MBE腔內引入氧氣束，壓力控制在106Torr，摻雜水平0.10.2原子。
測試使用四探針法測量電阻溫度曲線：在氦氣制冷機下，從300K降溫，電阻在110K附近驟降到零，磁化率測試確認Meissner效應，臨界電流密度Jc達105A/cm。
“教授，根據失敗樣品分析，STM顯示氧團簇導致相分離。”吳工說。
林燃思考片刻后說道：“調整氧束能量可行嗎？”
他們調整氧束能量從5eV到3eV來對均勻性進行優化調整。
第四個月，團隊終于做出第二個樣品：一個5cm見方的芯片，表面閃爍著金屬光澤，集成BDD屏蔽層厚度2μm。
測試在液氮模擬下，電阻驟降到零，能夠運行簡單AI算法：芯片處理100x100矩陣乘法，效率比硅基高500，且無熱積累。
整個團隊空前振奮，因為至少到了這里，這條路是可行的。
從路徑的層面，這是能夠超過硅基的材料。
在地球上，我們沒有辦法在短期內超過英偉達，那么我們就仰望星空。
在團隊士氣為之一振的時候，林燃提醒道：“這只是地球測試，月球的微重力會影響薄膜應力，我們需模擬真空脫氣。”
第六個月，團隊在真空模擬艙里進行最終驗證。
實驗人員戴上手套，動作小心地將樣品放入測試架。
所有成員都屏氣凝神，有的在實驗室外等結果，有的在辦公室等結果：這是最后一步，如果通過，就能送上月球。
“啟動模擬！”林燃命令道。
艙內抽真空到107Torr，溫度通過輻射冷卻降到100K，模擬月球輻射用質子束轟擊，每平方厘米1010粒子/秒。
芯片連接上AI測試電路：輸入一個卷積神經網絡模型，處理模擬月球圖像數據。
屏幕上顯示電阻保持零，計算誤差率
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